اینتل جزئیات لیتوگرافی ۱۸A-P را منتشر کرد؛ ارتقای چشمگیر عملکرد تراشهها
اینتل در رویداد VLSI ۲۰۲۶ جزئیات بیشتری از فناوری ساخت ۱۸A-P را منتشر کرد؛ نسخهای ارتقایافته از گره ۱۸A که اکنون وارد مرحله تولید آزمایشی شده است. این فناوری با حفظ سازگاری کامل با طراحیهای ۱۸A، حدود ۹ درصد عملکرد بیشتر در توان یکسان یا ۱۸ درصد مصرف انرژی کمتر در عملکرد مشابه ارائه میدهد.
اینتل همچنین با فناوری جدید Power Boost، بهبود ۲۰ تا ۴۰ درصدی ویژگیهای حرارتی و کاهش مقاومت اتصالات داخلی تراشه را از مهمترین مزایای ۱۸A-P میداند. به گفته این شرکت، این پیشرفتها بهویژه برای کاربردهای هوش مصنوعی، پردازشهای پیشرفته و محاسبات با کارایی بالا اهمیت دارند.
اینتل همچنین در VLSI ۲۰۲۶ دستاوردهای تحقیقاتی دیگری ازجمله فناوریهای جدید مبتنیبر GaN، ترانزیستورهای سهبعدی CFET و اتصالات پیشرفته با شکاف هوایی (Airgap) را به نمایش گذاشت. این شرکت پیشتر اعلام کرده بود پردازندههای نسل بعدی زئون Diamond Rapids بر پایه ۱۸A-P ساخته خواهند شد که نشاندهنده اعتماد اینتل به این فناوری است.
اینتل در رویداد VLSI ۲۰۲۶ جزئیات بیشتری از فناوری ساخت ۱۸A-P را منتشر کرد؛ نسخهای ارتقایافته از گره ۱۸A که اکنون وارد مرحله تولید آزمایشی شده است. این فناوری با حفظ سازگاری کامل با طراحیهای ۱۸A، حدود ۹ درصد عملکرد بیشتر در توان یکسان یا ۱۸ درصد مصرف انرژی کمتر در عملکرد مشابه ارائه میدهد.
اینتل همچنین با فناوری جدید Power Boost، بهبود ۲۰ تا ۴۰ درصدی ویژگیهای حرارتی و کاهش مقاومت اتصالات داخلی تراشه را از مهمترین مزایای ۱۸A-P میداند. به گفته این شرکت، این پیشرفتها بهویژه برای کاربردهای هوش مصنوعی، پردازشهای پیشرفته و محاسبات با کارایی بالا اهمیت دارند.
اینتل همچنین در VLSI ۲۰۲۶ دستاوردهای تحقیقاتی دیگری ازجمله فناوریهای جدید مبتنیبر GaN، ترانزیستورهای سهبعدی CFET و اتصالات پیشرفته با شکاف هوایی (Airgap) را به نمایش گذاشت. این شرکت پیشتر اعلام کرده بود پردازندههای نسل بعدی زئون Diamond Rapids بر پایه ۱۸A-P ساخته خواهند شد که نشاندهنده اعتماد اینتل به این فناوری است.
